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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > RGT16TM65DGC9

    场效应管(MOSFET)RGT16TM65DGC9采购_元器件采购商城
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    RGT16TM65DGC9

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    商品RGT16TM65DGC9规格参数

    商品型号 :

    RGT16TM65DGC9

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Rohm(罗姆)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    50

    批次 :

    1701+

    包装 :

    --

    库存 :

    50

    系列

    --

    包装

    管件

    IGBT 类型

    沟槽型场截止

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    650V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    9A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    24A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V@15V,8A

    功率 - 最大值

    22W

    开关能量

    --

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    21 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    13ns/33ns

    测试条件

    400V,8A,10欧姆,15V

    反向恢复时间 (trr)

    42ns

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-220-3 整包

    供应商器件封装

    TO-220NFM

    基本产品编号

    RGT16

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • RGT16TM65DGC9_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGT16TM65DGC9

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-220NFM

      库存： 43

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1804+

      1+

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      ¥26.5953

      10+

      $2.6174

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    • RGT16TM65DGC9_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      RGT16TM65DGC9

      品牌： Rohm(罗姆)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-220NFM

      库存： 43

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 1804+

      2+

      $3.6782

      ¥26.6072

      10+

      $2.6186

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      1000+ ¥10.9605 ¥11.5374
      2000+ ¥10.8754 ¥11.4478
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