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TC2320TG-G

阶梯

美金

含税

1+

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¥23.8876

10+

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¥23.20

30+

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¥22.6593

  • 库存:1
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥23.8876

  • 最小包装量:3300

商品TC2320TG-G规格参数

商品型号 :

TC2320TG-G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

3300

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7 欧姆@1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

110pF@25V,125pF@25V

功率 - 最大值

--

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

TC2320

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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