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IRFH8303TRPBF

阶梯

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含税

1+

--

¥31.382

10+

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¥26.8333

30+

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¥24.0659

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  • 起订量:1
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大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥31.382

  • 最小包装量:4000

商品IRFH8303TRPBF规格参数

商品型号 :

IRFH8303TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

4000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

6

系列

HEXFET®,StrongIRFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

43A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.1 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

179 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7736pF@24 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.7W(Ta),156W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IRFH8303

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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