ECH8697R-TL-W

商品型号 :

ECH8697R-TL-W

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3080

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)共漏

FET 功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss)

24V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.6 毫欧@5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

1.5W

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

供应商器件封装

SOT-28FL/ECH8

基本产品编号

ECH8697

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99