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IRF7854TRPBF

阶梯

美金

含税

1+

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¥6.5698

10+

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¥5.1034

30+

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¥4.3523

100+

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¥3.6292

500+

--

¥3.1889

1000+

--

¥2.956

  • 库存:1179
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥6.5698

  • 最小包装量:4000

商品IRF7854TRPBF规格参数

商品型号 :

IRF7854TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

4000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1179

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

13.4 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.9V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

41 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1620pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

基本产品编号

IRF7854

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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