FQPF6N80C

商品型号 :

FQPF6N80C

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

98

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

800V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.5 欧姆@2.75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1310pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

51W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

不适用

产品状态

停产