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SQ2315ES-T1_GE3

阶梯

美金

含税

1+

--

¥3.7674

10+

--

¥2.9425

30+

--

¥2.5682

100+

--

¥2.1348

500+

--

¥1.9222

1000+

--

¥1.8022

  • 库存:1895
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.7674

  • 包装:编带
  • 最小包装量:3000

商品SQ2315ES-T1_GE3规格参数

商品型号 :

SQ2315ES-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

1895

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

50 毫欧@3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

13 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

870pF@4 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

SQ2315

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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