TPH1R712MD,L1Q

商品型号 :

TPH1R712MD,L1Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1703

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.7 毫欧@30A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@1mA

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

10900pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售