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CSD18534Q5A

阶梯

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1+

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¥4.2791

10+

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¥3.3448

30+

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¥2.9432

100+

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¥2.4494

500+

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¥1.9111

1000+

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¥1.7692

  • 库存:64368
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥4.2791

  • 最小包装量:2500

商品CSD18534Q5A规格参数

商品型号 :

CSD18534Q5A

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

64368

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

13A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9.8 毫欧@14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

22 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1770pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta),77W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSONP(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD18534

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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