NTF6P02T3G-VB

• 库存：144
• 起订量：1
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  SOT-223

• 描述：

  类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：35V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：970pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：95pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

  展开

• 最小包装量：2500