百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > RJP020N06T100
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-89
描述:
1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
商品型号 :
RJP020N06T100
类目 :
品牌 :
Rohm(罗姆)
最小包装量 :
1000
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
编带
库存 :
1970
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
240 毫欧@2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC@4 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
160pF@10 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MPT3
封装/外壳
TO-243AA
基本产品编号
RJP020
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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