百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > UT2305G-AE2-R
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货期:
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分类:
封装:
SOT-23-3
描述:
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250μA
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