百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TC6320K6-G
阶梯
美金
含税
1+
--
¥20.1011
10+
--
¥16.8889
30+
--
¥14.9341
货期:
品牌:
分类:
封装:
DFN-8-EP(4x4)
描述:
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V
商品型号 :
TC6320K6-G
类目 :
品牌 :
MICROCHIP/ATMEL
最小包装量 :
3300
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
47
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
--
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
7 欧姆@1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
--
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110pF@25V,125pF@25V
功率 - 最大值
--
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-VDFN 祼焊盘
供应商器件封装
8-DFN(4x4)
基本产品编号
TC6320
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 39536
标准包: 3300
增量: 3300
3300+
--
¥12.5909
6600+
--
¥12.4494
9900+
--
¥12.3111
13200+
--
¥12.1758
库存: 100
标准包: 3300
增量: 1
批次: 23+
1+
$1.866
¥14.2083
3300+
$1.8102
¥13.7835
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