百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SQ4431EY-T1_GE3
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SO-8
描述:
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.8A
商品型号 :
SQ4431EY-T1_GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
2500
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
90
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧@6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1265pF@15 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
6W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
SQ4431
REACH 状态
未明确供应商
ECCN
EAR99
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