SIS435DNT-T1-GE3

商品型号 :

SIS435DNT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

19

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.4 毫欧@13A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

180 nC@8 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5700pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.7W(Ta),39W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

基本产品编号

SIS435

REACH 状态

可根据要求提供 REACH 信息

ECCN

EAR99