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NSV1C201MZ4T1G

阶梯

美金

含税

5+

--

¥2.6576

50+

--

¥2.0987

150+

--

¥1.851

1000+

--

¥1.283

2000+

--

¥1.1471

5000+

--

¥1.0624

  • 库存:408
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥13.288

  • 包装:编带
  • 最小包装量:1000

商品NSV1C201MZ4T1G规格参数

商品型号 :

NSV1C201MZ4T1G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

408

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

2A

电压 - 集射极击穿(最大值)

100V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

180mV@200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

120@500mA,2V

功率 - 最大值

800 mW

频率 - 跃迁

100MHz

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223(TO-261)

基本产品编号

NSV1C201

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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