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IRF7342TRPBF

阶梯

美金

含税

1+

--

¥5.4651

10+

--

¥4.4138

30+

--

¥3.875

100+

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¥3.3483

500+

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¥2.6444

1000+

--

¥2.4725

  • 库存:11611
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥5.4651

  • 最小包装量:4000

商品IRF7342TRPBF规格参数

商品型号 :

IRF7342TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

4000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

11611

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

55V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.4A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

105 毫欧@3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

38nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

690pF@25V

功率 - 最大值

2W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SO

基本产品编号

IRF734

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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