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NXPSC10650B6J

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美金

含税

1+

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¥53.1573

10+

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¥51.4111

30+

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¥50.0769

  • 库存:72
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥53.1573

  • 最小包装量:800

商品NXPSC10650B6J规格参数

商品型号 :

NXPSC10650B6J

类目 :

碳化硅二极管

品牌 :

WeEn(瑞能)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

72

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

SiC(Silicon Carbide)Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

650V

电流 - 平均整流 (Io)

10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V@10 A

速度

零恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr)

0ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

250 µA@650 V

不同 Vr,F 时电容

300pF@1V,1MHz

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

工作温度 - 结

175℃(最大)

基本产品编号

NXPSC

ECCN

EAR99

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