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ZXTN2011GTA

阶梯

美金

含税

1+

--

¥7.1264

10+

--

¥5.9091

30+

--

¥5.2809

100+

--

¥4.6667

500+

--

¥4.2857

  • 库存:850
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥7.1264

  • 最小包装量:1000

商品ZXTN2011GTA规格参数

商品型号 :

ZXTN2011GTA

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

850

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

6A

电压 - 集射极击穿(最大值)

100V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

220mV@500mA,5A

电流 - 集电极截止(最大值)

50nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

100@2A,2V

功率 - 最大值

3W

频率 - 跃迁

130MHz

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223-3

基本产品编号

ZXTN2011

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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