百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMN2400UFB4-7B
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货期:
品牌:
分类:
封装:
DFN1006-3
描述:
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
商品型号 :
DMN2400UFB4-7B
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
10000
起订量 :
10
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2760
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧@600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV@250µA
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36pF@16 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
470mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
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大陆交货(含税)
库存: 4381
标准包: 10000
增量: 1
批次: 两年内
1+
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¥0.1656
10000+
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库存: 260
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增量: 1
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