SI2333DS-T1-GE3

商品型号 :

SI2333DS-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2832

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

32 毫欧@5.3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1100pF@6 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

750mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

SI2333

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99