百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IRFR1205TRPBF
阶梯
美金
含税
1+
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¥5.1628
10+
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¥4.1839
30+
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¥3.6818
100+
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¥3.2022
500+
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¥2.4222
1000+
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¥2.2637
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-252
描述:
N沟道,55V,44A,27mΩ@10V
商品型号 :
IRFR1205TRPBF
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
2000
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
834
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧@26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
107W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
IRFR1205
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 360000
标准包: 2500
增量: 2500
批次: 26+
2500+
--
¥0.3639
5000+
--
¥0.3598
7500+
--
¥0.3558
10000+
--
¥0.3519
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