TSM60NB1R4CH C5G

商品型号 :

TSM60NB1R4CH C5G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

75

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

18

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.4 欧姆@900mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

257.3pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

28.4W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)