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FDC6312P

阶梯

美金

含税

1+

--

¥3.6163

10+

--

¥2.8046

30+

--

¥2.4545

100+

--

¥2.0225

500+

--

¥1.8222

1000+

--

¥1.7033

  • 库存:95
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.6163

  • 最小包装量:3000

商品FDC6312P规格参数

商品型号 :

FDC6312P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

95

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.3A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

115 毫欧@2.3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

467pF@10V

功率 - 最大值

700mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装

SuperSOT™-6

基本产品编号

FDC6312

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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