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SI7326DN-T1-GE3

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¥2.1395

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  • 库存:1185
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大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥2.1395

  • 最小包装量:3000

商品SI7326DN-T1-GE3规格参数

商品型号 :

SI7326DN-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1185

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

19.5 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.8V@250µA

Vgs(最大值)

±25V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.5W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

最后售卖

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