百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SI7326DN-T1-GE3
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PowerPAK1212-8
描述:
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
商品型号 :
SI7326DN-T1-GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
3000
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1185
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
19.5 毫欧@10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V@250µA
Vgs(最大值)
±25V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
最后售卖
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大陆交货(含税)
库存: 7299
标准包: 3000
增量: 1
批次: 五年外
1+
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¥0.8958
3000+
$0.1083
¥0.8247
库存: 2931
标准包: 3000
增量: 1
批次: 两年外
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