SQ1563AEH-T1_GE3

商品型号 :

SQ1563AEH-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2863

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

850mA(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

280 毫欧@850mA,4.5V,575 毫欧@800mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.25nC@4.5V,1.33nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

89pF@10V,84pF@10V

功率 - 最大值

1.5W

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

基本产品编号

SQ1563

ECCN

EAR99