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NTMTS0D6N04CLTXG

阶梯

美金

含税

1+

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¥28.3596

10+

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¥27.40

30+

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¥26.6813

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大陆: 2-4工作日

数量:

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合计:

¥28.3596

  • 最小包装量:3000

商品NTMTS0D6N04CLTXG规格参数

商品型号 :

NTMTS0D6N04CLTXG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

23

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

554.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.42 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

126 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

16013pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

5W

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

供应商器件封装

8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

NTMTS0

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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