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IRFR120NTRPBF

阶梯

美金

含税

5+

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¥2.0887

50+

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¥1.6387

150+

--

¥1.4395

500+

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¥1.0688

2000+

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¥0.9589

4000+

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¥0.8901

  • 库存:148442
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥10.4435

  • 最小包装量:2000

商品IRFR120NTRPBF规格参数

商品型号 :

IRFR120NTRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

148442

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

210 毫欧@5.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

25 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

330pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

48W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA (DPAK)

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

IRFR120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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