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RF4C100BCTCR

阶梯

美金

含税

5+

--

¥2.0006

50+

--

¥1.5703

150+

--

¥1.3801

500+

--

¥1.1516

  • 库存:2762
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥10.003

  • 最小包装量:3000

商品RF4C100BCTCR规格参数

商品型号 :

RF4C100BCTCR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

3000

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2762

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

15.6mOhm@10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23.5 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1660pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

HUML2020L8

封装/外壳

8-PowerUDFN

基本产品编号

RF4C100

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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