FGD5T120SH

商品型号 :

FGD5T120SH

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

10A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

12.5A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

3.6V@15V,5A

功率 - 最大值

69W

开关能量

247µJ(导通),94µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

6.7 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

4.8ns/24.8ns

测试条件

600V,5A,30 欧姆,15V

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

TO-252AA

基本产品编号

FGD5T120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99