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    场效应管(MOSFET)FGD3245G2-F085采购_元器件采购商城
    数据手册

    FGD3245G2-F085

    阶梯

    美金

    含税

    1+

    --

    ¥17.191

    10+

    --

    ¥14.5111

    30+

    --

    ¥12.8022

    • 库存：6
    • 起订量：1
    • 倍数：1

    货期：

    大陆: 2-4工作日

    数量：

    - +

    合计：

    ¥17.191

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    • 品牌：

      Onsemi(安森美)

    • 分类：

      场效应管(MOSFET)

    • 封装：

      TO-252AA

    • 描述：

      FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于免去外部保护电路。 该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化，并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 V

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    • 最小包装量：2500

    商品FGD3245G2-F085规格参数

    商品型号 :

    FGD3245G2-F085

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Onsemi(安森美)

    最小包装量 :

    2500

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    6

    系列

    EcoSPARK®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    IGBT 类型

    --

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    450V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    23A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.25V@4V,6A

    功率 - 最大值

    150W

    开关能量

    --

    输入类型

    逻辑

    栅极电荷

    23 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    900ns/5.4µs

    测试条件

    --

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

    供应商器件封装

    TO-252AA

    基本产品编号

    FGD3245

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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