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STGB15M65DF2

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含税

1+

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¥10.1379

10+

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¥8.4659

30+

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¥7.5281

100+

--

¥6.50

500+

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¥6.022

  • 库存:854
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥10.1379

  • 品牌:

    ST(意法半导体)

  • 分类:

    IGBT模块

  • 封装:

    D2PAK

  • 描述:

    采用先进沟槽栅场截止结构的IGBT,参数分布紧密,可安全并联,具有正温度系数和低热阻,内置软恢复快速二极管

  • 最小包装量:1000

商品STGB15M65DF2规格参数

商品型号 :

STGB15M65DF2

类目 :

IGBT模块

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

854

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

30A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

60A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,15A

功率 - 最大值

136W

开关能量

90µJ(导通),450µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

45 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

24ns/93ns

测试条件

400V,15A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

142ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

TO-263(D2PAK)

基本产品编号

STGB15

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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