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BSS84LT1G

阶梯

美金

含税

10+

--

¥0.3323

100+

--

¥0.2624

300+

--

¥0.2258

3000+

--

¥0.1958

6000+

--

¥0.1842

9000+

--

¥0.1758

  • 库存:155214
  • 起订量:10
  • 倍数:10

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥3.323

  • 包装:编带
  • 最小包装量:3000

商品BSS84LT1G规格参数

商品型号 :

BSS84LT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

155214

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

50V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

130mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

10 欧姆@100mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

30pF@5 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

225mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSS84

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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