STGF19NC60KD

商品型号 :

STGF19NC60KD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9

系列

PowerMESH™

包装

管件

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

16A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

75A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.75V@15V,12A

功率 - 最大值

32W

开关能量

165µJ(导通),255µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

55 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

30ns/105ns

测试条件

480V,12A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

31ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

供应商器件封装

TO-220FP

基本产品编号

STGF19

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99