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FDMS86183

阶梯

美金

含税

1+

--

¥8.3146

10+

--

¥8.0333

30+

--

¥7.8242

  • 库存:1
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥8.3146

  • 品牌:

    Onsemi(安森美)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    Power-56-8

  • 描述:

    N沟道屏蔽栅功率沟槽MOSFET,采用屏蔽栅技术,优化导通电阻,开关性能优越,具备软体二极管

  • 最小包装量:3000

商品FDMS86183规格参数

商品型号 :

FDMS86183

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

51A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12.8 毫欧@16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@90µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

14 nC@6 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1515pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

63W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

FDMS86

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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