CJ3139KDW-G

商品型号 :

CJ3139KDW-G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Comchip(典琦)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

6000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

660mA(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

520 毫欧@1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

170pF@16V

功率 - 最大值

150mW

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SOT-363

基本产品编号

CJ3139

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99