CSD17302Q5A

商品型号 :

CSD17302Q5A

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

16

批次 :

1909+

包装 :

--

库存 :

380

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A(Ta),87A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

3V,8V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.9 毫欧@14A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.7V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+10V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

950pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSONP(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD17302

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99