QS8J2TR

商品型号 :

QS8J2TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

172

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

195

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

36 毫欧@4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

20nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1940pF@6V

功率 - 最大值

550mW

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

供应商器件封装

TSMT8

基本产品编号

QS8J2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99