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STGB30M65DF2
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- 倍数：880
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-263（D2PAK）
-
描述：
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- 最小包装量：880
STGB30M65DF2其他库存
商品STGB30M65DF2规格参数
商品型号 :
STGB30M65DF2
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
880
起订量 :
880
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
880
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
60A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V@15V,30A
功率 - 最大值
258W
开关能量
300µJ(导通),960µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
80 nC
25℃ 时 Td(开/关)值
31.6ns/115ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
140ns
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
基本产品编号
STGB30
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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