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RGW80TK65DGVC11

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商品RGW80TK65DGVC11规格参数

商品型号 :

RGW80TK65DGVC11

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

20

批次 :

1901+

包装 :

--

库存 :

30

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

39A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.9V@15V,40A

功率 - 最大值

81W

开关能量

760µJ(导通),720µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

110 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

44ns/143ns

测试条件

400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

92ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3PFM,SC-93-3

供应商器件封装

TO-3PFM

基本产品编号

RGW80

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • RGW80TK65DGVC11

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-3PFM

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  • RGW80TK65DGVC11

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-3PFM

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