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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IHW20N120R5XKSA1

    场效应管(MOSFET)IHW20N120R5XKSA1采购_元器件采购商城
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    IHW20N120R5XKSA1

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    商品IHW20N120R5XKSA1规格参数

    商品型号 :

    IHW20N120R5XKSA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    643

    系列

    TRENCHSTOP™

    包装

    管件

    IGBT 类型

    --

    电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

    40A

    电流 - 集电极脉冲 (Icm)

    60A

    不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.75V@15V,20A

    功率 - 最大值

    288W

    开关能量

    750µJ(关)

    输入类型

    标准

    栅极电荷

    170 nC

    25℃ 时 Td(开/关)值

    -/260ns

    测试条件

    600V,20A,10 欧姆,15V

    工作温度

    -40℃~175℃(TJ)

    安装类型

    通孔

    封装/外壳

    TO-247-3

    供应商器件封装

    PG-TO247-3

    基本产品编号

    IHW20N120

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • IHW20N120R5XKSA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IHW20N120R5XKSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TO247-3

      库存： 9

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2315+

      1+

      $3.0994

      ¥22.4203

      10+

      $3.0871

      ¥22.3311

      25+

      $2.3232

      ¥16.8053

      50+

      $2.2862

      ¥16.5379

      100+

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      ¥14.9634

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      10+ ¥22.3311 ¥23.5064
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      50+ ¥16.5379 ¥17.4083
      100+ ¥14.9634 ¥15.7509
      480+ ¥12.5173 ¥13.1761
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    • IHW20N120R5XKSA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IHW20N120R5XKSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TO247-3

      库存： 185

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2621+

      5+

      $5.3676

      ¥38.8275

      10+

      $5.3172

      ¥38.463

      25+

      $2.9824

      ¥21.5736

      50+

      $2.8953

      ¥20.9437

      100+

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      ¥17.6846

      480+

      $1.7363

      ¥12.5599

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      5+ ¥38.8275 ¥40.871
      10+ ¥38.463 ¥40.4874
      25+ ¥21.5736 ¥22.709
      50+ ¥20.9437 ¥22.046
      100+ ¥17.6846 ¥18.6154
      480+ ¥12.5599 ¥13.2209
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