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IGD06N60TATMA1

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商品IGD06N60TATMA1规格参数

商品型号 :

IGD06N60TATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

6524

系列

TRENCHSTOP™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

12A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

18A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.05V@15V,6A

功率 - 最大值

88W

开关能量

200µJ

输入类型

标准

栅极电荷

42 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

9ns/130ns

测试条件

400V,6A,23 欧姆,15V

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

基本产品编号

IGD06N

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • IGD06N60TATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO252-3-11

    库存: 1840

    标准包: 1

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  • IGD06N60TATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-TO252-3-11

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