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AFGHL50T65SQD

阶梯

美金

含税

1+

$6.6717

¥50.9678

10+

$3.8084

¥29.0935

100+

$3.6005

¥27.5053

500+

$3.3926

¥25.9171

1000+

$3.1847

¥24.3288

关税
  • 库存:1326
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥50.9678

  • 最小包装量:1

商品AFGHL50T65SQD规格参数

商品型号 :

AFGHL50T65SQD

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1326

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,50A

功率 - 最大值

268W

开关能量

950µJ(导通),460µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

102 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

20ns/81ns

测试条件

400V,50A,4.7 欧姆,15V

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

AFGHL50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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