STGD3HF60HDT4

商品型号 :

STGD3HF60HDT4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1611

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

7.5A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

18A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.95V@15V,1.5A

功率 - 最大值

38W

开关能量

19µJ(导通),12µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

12 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

11ns/60ns

测试条件

400V,1.5A,100 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

85ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

DPAK

基本产品编号

STGD3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99