HGTD1N120BNS9A

商品型号 :

HGTD1N120BNS9A

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

6864

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

NPT

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

5.3A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

6A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.9V@15V,1A

功率 - 最大值

60W

开关能量

70µJ(导通),90µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

14 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

15ns/67ns

测试条件

960V,1A,82 欧姆,15V

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

TO-252AA

基本产品编号

HGTD1N120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99