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MJD112G

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含税

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¥7.4358

10+

$0.412

¥3.1476

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  • 库存:1525
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥7.4358

  • 最小包装量:1

商品MJD112G规格参数

商品型号 :

MJD112G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1525

系列

--

包装

管件

晶体管类型

NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

2A

电压 - 集射极击穿(最大值)

100V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

3V@40mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值)

20µA

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

1000@2A,3V

功率 - 最大值

1.75W

频率 - 跃迁

25MHz

工作温度

-65℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

DPAK

基本产品编号

MJD112

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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