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IPD50R380CEAUMA1

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  • 库存:2136
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥42.5935

  • 最小包装量:1

商品IPD50R380CEAUMA1规格参数

商品型号 :

IPD50R380CEAUMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2136

系列

CoolMOS™ CE

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

500V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

13V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

380 毫欧@3.2A,13V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@260µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24.8 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

584pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

98W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

IPD50R

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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