百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDT86256
阶梯
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2000+
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-223-4
描述:
MOSFET, N-CH, 150V, 3A, SOT-223
商品型号 :
FDT86256
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
696
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A(Ta),3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
845 毫欧@1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
73pF@75 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.3W(Ta),10W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
FDT86
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 2500
增量: 1
批次: 26+
10+
--
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