百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BSZ180P03NS3GATMA1
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TSDSON-8
描述:
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, 150DEG C
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
2337
起订量:
1455
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
13249
起订量:
1455
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
27072
起订量:
1455
商品型号 :
BSZ180P03NS3GATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
4336
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Ta),39.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧@20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.1V@48µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC@10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2220pF@15 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),40W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSZ180
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 2337
标准包: 1
增量: 1
批次: 2201+
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