HS8MA2TCR1

商品型号 :

HS8MA2TCR1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1000

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

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漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5A(Ta),7A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

80 毫欧@5.5A,10V,35 毫欧@7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.8nC@10V,8.4nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

320pF@10V,365pF@10V

功率 - 最大值

2W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

DFN3333-9DC

基本产品编号

HS8MA2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99